Nitrid galia – GaN. Nitrid galia je polovodič s krystalografickou strukturou podobnou wurtzitu. Může být vytvořen na substrátu z monokrystalu oxidu hlinitého (Al2O3, safír) nebo na karbidu křemíku (SiC). Dopování křemíkem vede na polovodič typu N a dopování hořčíkem na polovodič typu P. Dopování zasahuje do procesu růstu krystalu, čímž krystaly GaN křehnou a vznikají v nich zlomy. Právě tyto vady krystalů vedou k dobré elektronové vodivosti GaN. Šířka zakázaného pásu je 3,4 eV, což odpovídá vlnové délce v ultrafialové oblasti.
Zpět Glosář